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产物详情

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一、项目引见

高精度激光位移传感器是应用多少三角道理,经由过程丈量传感器发射的激光光束,被被测物体外面反射返来,正在传感器内部的PSD(光敏位置器件)或线阵CCD上的成像位置去盘算目的物间隔的探测体系。 激光位移传感器重要用于短距离、高精度丈量,其体系丈量精度可达1um,分辨率0.1um,谦量程线性度0.1%。激光位移传感器可对被丈量物体的位置、位移等转变实现非打仗丈量,其重要应用于检测物的位移、厚度、振动、间隔、直径等多少量的丈量。

现在相干产物关键技术完整被西欧日等西方发达国家把持。海内少数科研院所能建造个中局部要害部件但技术指标取外洋产物相比较有肯定差异且本钱奋发,产物批量生产工艺完善。海内还没有企业具有此类产品从中心光敏器件、激光源光学系统、细小电信号处置惩罚到软件优化的成套完好的手艺及产物。

 

二、手艺泉源:自立研发制造

 1. 中心光敏器件, PSD(光敏位置器件)和线阵CCD由我方技术人员取美方技术合作。研发及小批量消费正在美国停止,资金及消费装备许可的状况下,转移到国内生产。产物专利及核心技术由我方具有。产物功用特性及上风:下灵敏度,小暗电流,抗强光滋扰机能优越。

2. 激光源光学系统、细小电信号处置惩罚及软件优化,正在海内开辟设想。

3. 产物整体研发,调试及消费组装正在海内停止。

三、生产工艺:

光敏位置器件(PSD生产工艺简介:

起首已搀杂(i型)的硅片经洗濯安排于散布炉内,经散布正在正反外面构成n型层。把后头的n型层用光刻胶珍爱起来然后将正面的n型层侵蚀失落。去掉光刻胶。 正在后头堆积一层氮化硅。将样品

安排于散布炉内停止散布构成p型层。因为氮化硅的珍爱感化p型杂质不克不及散布进入后头。因而只要正面构成了n型层。如许便构成了p-i-n构造。 正在样品的正面堆积铝膜 100 nm), 然后用光刻的设施构成电极。然后侵蚀失落后头的氮化硅。正在样品的后头堆积铝膜 100 nm)。最初正在450°C炉温顶用氮气退火30分钟将金属电极取硅半导体构成欧姆打仗。如许光敏位置器件便制成了。

  

 


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